稱量室的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在符合工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。
例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低。
此外，
稱量室的濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面很難清理。相對濕度越高，粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產濕度范圍為35—45%。
